CT41
产品特性
•无外包封层，适合于表面贴装；
•介质为Ⅱ类瓷介，介电常数高，电容器容量体积比大；
•产品每批进行100%温度冲击筛选、高温电负荷筛选；
•适用于各类军用电子设备中的旁路、滤波、低频耦合电路或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中。
品牌对比
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订货示例
G+ |
CT41 |
0805 |
X7R |
50V |
104 |
K |
质量等级 |
型号 |
外形尺寸 |
温度特性 |
额定电压 |
标称容量 |
容差 |
见下表 |
Ⅱ类瓷介片式多层瓷介电容器 |
见下表 |
见下表 |
直标法50V |
数标法,104为100000pF |
见下表 |
质量等级及执行标准对照表
质量等级 |
质量等级代号 |
执行详细规范 |
参照执行总规范 |
七专加严 |
G+ |
QJ/PWV412-2012 |
QZJ840624瓷介电容器 “七专”技术条件 |
七专l |
G |
QJ/PWV416-2012 |
QZJ840624瓷介电容器 “七专”技术条件 |
军筛 |
S |
QJ/PWV402-2010 |
GJB192A-1998 |
普军 |
J |
QJ/PWV420-2012 |
GJB192A-1998 |
温度特性
温度特性代码 |
容量最大允许变化 |
工作温度范围 |
X7R |
±15% |
-55℃ – +125℃ |
X7S |
±22% |
-55℃ – +125℃ |
X7T |
-33% – +22% |
-55℃ – +125℃ |
X6S |
±22% |
-55℃ – +105℃ |
X6T |
-33% – +22% |
-55℃ – +105℃ |
X5R |
±15% |
-55℃ – +85℃ |
2R1 |
±15% |
-55℃ – +125℃ |
2R2 |
±15% |
-55℃ – +85℃ |
2C1 |
±20% |
-55℃ – +125℃ |
2C2 |
±20% |
-55℃ – +85℃ |
2X1 |
±15% |
-55℃ – +125℃ |
电容量允许偏差
代码 |
允许偏差范围 |
K |
±10% |
M |
±20% |
主要性能指标
项目 |
测试条件 |
性能指标 |
电容量 CR |
CR ≤ 10μF: (1±0.1) KHz, (1±0.2)V |
1. 0402, 0603 尺寸, tg δ ≤ 1200x10-4 |
损耗角正切 tgδ |
||
绝缘电阻 IR |
测试电压: 额定电压 UR; |
CR < 0.047μF: |
耐电压 |
测试电压: 2.5UR |
无击穿、飞弧和可见性损伤 |
尺寸代号 |
外形尺寸 (mm) |
备注 |
||
L |
W |
T (max) |
||
0402 |
1.00±0.15 |
0.50±0.05 |
0.55 |
CR < 1.0μF |
1.00±0.15 |
0.50±0.15 |
0.80 |
CR ≥ 1.0μF |
|
0603 |
1.60±0.15 |
0.80±0.15 |
0.95 |
CR < 10.0μF |
1.60±0.30 |
0.80±0.30 |
1.10 |
CR ≥ 10.0μF |
|
0805 |
2.00±0.20 |
1.25±0.20 |
1.40 |
CR < 10.0μF |
2.00±0.40 |
1.25±0.40 |
1.50 |
CR ≥ 10.0μF |
|
1206 |
3.20±0.30 |
1.60±0.30 |
1.90 |
--- |
1210 |
3.20±0.40 |
2.50±0.30 |
2.80 |
--- |
1812 |
4.50±0.50 |
3.20±0.40 |
3.50 |
---- |
2220 |
5.70±0.50 |
5.00±0.50 |
5.20 |
--- |
2225 |
5.70±0.50 |
6.30±0.50 |
6.20 |
--- |
3025 |
7.60±0.60 |
6.30±0.60 |
6.20 |
--- |
容量列表
容量列表
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