CT41L

片式多层瓷介电容器

产品特性

•介质为Ⅱ类瓷介，介电常数高，电容器容量体积比大；
•产品每批进行100%进行温度冲击筛选和高温电负荷筛选；
•适用于兵器、船舶、航空、航天等各类军用电子设备中的旁路、滤波、低频耦合电路或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中。

品牌对比

CT41L(宏明)

产品标准尺寸参数表样品申请技术问答

订货示例

质量等级及执行标准对照表

温度特性

电容量允许偏差

主要性能指标

项目	测试条件	性能指标
电容量 C_R 损耗角正切tg δ	1.容量列表 A: C_R < 100pF: (1±0.1)MHz, (1±0.2)V C_R ≥ 100pF: (1±0.1)KHz, (1±0.2)V 2.容量列表 B: C_R ≤ 10μF: (1±0.1)KHz, (1±0.2)V 10μF < C_R < 470μF C_R ≥ 470μF : (50±5)Hz±10%, (0.5±0.1)V	1. 容量列表 A: tg δ ≤ 350x10^-4 2. 容量列表 B: a. 0402, 0603 size, tg δ ≤ 1200x10^-4 b. C_R ≥ 100μF, tg δ ≤ 1500 x 10^-4 c.1μF ≤ C_R < 100μF，tg δ ≤ 1200×10^-4; d. C_R < 1μF, U_R ≤ 16V, tg δ ≤ 1000x10^-4; 16V < U_R ≤ 50V, tg δ ≤ 500 x 10^-4; 50V< U_R ≤ 200V, tg δ ≤ 250 x 10^-4
绝缘电阻 IR	测试电压: 额定电压 U_R; 测试时间: 60s±5s	1.容量列表A: C_R ≤ 25nF, IR ≥ 4000MΩ C_R > 25nF,IR ≥ 100MΩ.μF 2. 容量列表B: C_R < 0.047μF, IR ≥ 1×10⁴MΩ or C_R ≥ 0.047μF, IR ≥ 100MΩ.μF
耐电压	测试电压: 2.5U_R; 测试时间: 5s±1s	无击穿、飞弧和可见性损伤

CT41L型片式多层瓷介电容器

容量列表A

CT41L型片式多层瓷介电容器

容量列表B

CT41L型片式多层瓷介电容器

容量列表B

CT41L型片式多层瓷介电容器

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