CT41V
产品特性
•片式产品，适合于表面贴装；
•介质为Ⅱ类瓷介，电容量大；
•高耐电压达250VDC〜6000VDC；
•产品100%进行温度冲击和高温电负荷筛选；
•适用于军用雷达、通讯、航空、武器系统等电子设备，用于滤波、低频耦合电路或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路。
品牌对比
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订货示例
G |
CT41V |
1206 |
X7R |
1000V |
102 |
K |
质量等级 |
型号 |
外形尺寸 |
温度特性 |
额定电压 |
标称容量 |
容差 |
见下表 |
Ⅱ类中高压多层瓷介电容器 |
见下表 |
见下表 |
直标法1000V |
数标法,102 为1000pF |
见下表 |
质量等级及执行标准对照表
质量等级 |
质量等级代号 |
执行详细规范 |
参照执行总规范 |
七专 |
G |
QJ/PWV477–2012 |
QZJ840624瓷介电容器 “七专”技术条件 |
军筛 |
S |
QJ/PWV478–2012 |
GJB192A – 1998 |
普军 |
J |
QJ/PWV479–2012 |
GJB192A – 1998 |
温度特性
温度特性 |
容量最大允许变化 |
工作温度范围 |
X7R |
±15% |
–55℃– +125℃ |
X7T |
-33% – +22% |
–55℃ – +125℃ |
电容量允许偏差
代码 |
允许偏差范围 |
K |
±10% |
M |
±20% |
主要性能指标
项目 |
测试条件 |
性能指标 |
电容量 CR |
测试频率: (1±0.1)KHz; |
Tg δ ≤ 250x10-4 |
损耗角正切 tg δ |
||
绝缘电阻 IR |
测试电压: |
CR ≥ 0.047μF: IR ≥ 100MΩ・μF; |
耐电压 |
测试时需要将夹持的电容器浸入硅油中; |
无击穿、飞弧和可见性损伤 |
尺寸代码 |
外形尺寸 (mm) |
|||
L |
W |
T max |
MB |
|
0805 |
2.00±0.20 |
1.20±0.20 |
1.35 |
0.40±0.15 |
1206 |
3.20±0.30 |
1.60±0.30 |
1.90 |
0.45±0.25 |
1210 |
3.20± 0.40 |
2.50±0.40 |
2.80 |
0.45±0.15 |
1812 |
4.50±0.50 |
3.20±0.50 |
3.00 |
0.50±0.20 |
2220 |
5.70±0.50 |
5.00±0.50 |
3.50 |
0.60±0.30 |
2225 |
5.70±0.50 |
6.30±0.50 |
3.50 |
0.60±0.30 |
3035 |
7.60± 0.60 |
8.90±0.60 |
4.00 |
0.70±0.30 |
3640 |
9.10±0.60 |
10.10±0.60 |
5.00 |
0.80±0.30 |
4545 |
11.50±0.60 |
11.50±0.60 |
5.00 |
0.80±0.30 |
5550 |
14.00±0.80 |
12.70±0.80 |
6.00 |
1.00±0.30 |
7680 |
19.30±0.80 |
20.30±0.80 |
6.00 |
1.00±0.30 |
容量列表
容量列表
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