CT4

军用径向引线式多层瓷介电容器

产品特性

•圆形引线径向引出，环氧树脂涂覆包封，适合于印刷线路板插装；
•介质为Ⅱ类瓷介，介电常数高，电容器容量体积比大；
•产品每批进行100%温度冲击筛选和高温电负荷筛选;
•适用于各类军用电子设备中的旁路、滤波、低频耦合电路及对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中。

品牌对比

C(KEMET), SK(AVX), CT4(元六)

质量等级及执行标准对照表

温度特性

电容量允许偏差

主要性能指标

项目	测试条件	性能指标
电容量 C_R	C_R ≤ 10μF: (1±0.1)KHz, (1±0.2)V 10μF ＜ C_R ＜ 470μF: (120±10)Hz, (0.5±0.1)V 470μF ≤ C_R ＜ 2000μF: (50±5)Hz, (0.5±0.1)V 2000μF ≤ C_R ≤ 4700μF: (25±3)Hz, (0.25±0.1)V	当 C_R ≥ 1μF, tg δ ≤ 1200x10^-4; 2. 当 C_R< 1μF, a. U_R < 16V, tg δ ≤ 1000×10^-4； b. 16V < U_R ≤ 50V, tg δ < 500x10^-4； c. 50V < U_R , tg δ < 250x10^-4；
损耗角正切 tg δ
绝缘电阻 IR	测试电压: U_R ≥ 500V; U_R < 500V 测试时间: 60s±5s	当 C_R < 0.047μF: IR ≥ 1×10⁴MΩ；当 C_R ≥ 0.047 μF: IR ≥ 1x10³MΩ 或 100MΩ•μF 取较小者
耐电压	测试电压: 当U_R ≤ 250V, 使用 2.5U_R; 当 250 ＜ U_R ＜ 1000V, 使用 1.5U_R; 当 1000V ≤ U_R, 使用 1.2U_R 测试时间: 5s±1s	无击穿、飞弧和可见性损伤

CT4型军用径向引线式多层瓷介电容器

容量列表

CT4型军用径向引线式多层瓷介电容器

M表示推荐做M精度，目录范围之外的其他规格的产品敬请咨询。

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操作