CT4G

径向引线式多层瓷介电容器

产品特性

•圆形引线径向引出，环氧树脂涂覆包封，适合于印刷线路板插装；
•介质为Ⅱ类瓷介，介电常数高，电容器容量体积比大；
•产品每批100%温度冲击筛选、高温电负荷筛选；
•适用于各类军用电子设备中的旁路、滤波、低频耦合路及对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中。

品牌对比

CT4G(火炬)

产品标准尺寸参数表样品申请技术问答

订货示例

质量等级对照表

温度特性

电容量允许偏差

主要性能指标

项目	测试条件	性能指标
电容量 C_R	C_R ≤ 10μF: (1±0.1)KHz, (1±0.2)V 10μF < C_R < 470μF: (120±10)Hz, (10.5± 0.1)V	1. C_R ≥ 1μF时, tg δ ≤ 1200×10^-4; 2. C_R < 1μF, a. U_R ≤ 10V时, tg δ ≤ 1000×10^-4; b. 10V < U_R ≤ 16V, tg δ ≤ 500×10^-4; c. 16V < U_R ≤ 50V, tg δ ≤ 350×10^-4; d. U_R ≥ 100V, tg δ ≤ 250×10^-4；注: 特殊 0805 尺寸规格 10V, 16V, 25V 电压: 475 容量产品 tg δ ≤ 1250x 10^-4
损耗角正切 tg δ
绝缘电阻 IR	测试电压: 额定电压 U_R; 测试时间: 60s±5s	C_R < 0.047μF, IR ≥ 4x10³MΩ C_R ≥ 0.047μF, IR ≥ 100MΩ・μF
耐电压	测试电压: 1. 当 U_R ≤ 250V, 使用 2.5U_R; 2. 当 250 ＜ U_R ＜ 1000V, 使用 1.5U_R; 3. 当 1000V ≤ U_R, 使用 1.2U_R; 测试时间: 5s±1s	无击穿、飞弧和可见性损伤

CT4G型径向引线式多层瓷介电容器

容量列表

CT4G型径向引线式多层瓷介电容器

标 “*” 产品损耗特殊控制如下: tg δ ≤ 1250x10^-4, M表示推荐做M精度，目录范围之外的其他规格的产品敬请咨询。

容量列表

CT4G型径向引线式多层瓷介电容器

标 “*” 产品损耗特殊控制如下: tg δ ≤ 1250x10^-4, M表示推荐做M精度，目录范围之外的其他规格的产品敬请咨询。

操作